바로가기 메뉴
본문 바로가기
푸터 바로가기
TOP

 

[2007 The 14th Korean Conference on Semiconductors] Characterization of Tunnel Oxide Degradation under NAND-type Program/Erase Stresses of SONOS Flash Memory Cell Transistors with 30 nm×30 nm Channel

기간

Feb. 8-9, 2007

참가자

S. W. Kim, J. U. Lee, K. S .Roh, G. C. Kang, S. H. Seo, K. Y. Kim, C. H. Lee, S. Y. Lee, K. J. Song, C. M. Choi, S. R. Park, B. G. Park, H. Shin, J. D. Lee, K. S. Min, D. J. Kim, D. H. Kim, and D. M. Kim

대회명

The 14th Korean Conference on Semiconductors

S. W. Kim, J. U. Lee, K. S .Roh, G. C. Kang, S. H. Seo, K. Y. Kim, C. H. Lee, S. Y. Lee, K. J. Song, C. M. Choi, S. R. Park, B. G. Park, H. Shin, J. D. Lee, K. S. Min, D. J. Kim, D. H. Kim, and D. M. Kim, ” Characterization of Tunnel Oxide Degradation under NAND-type Program/Erase Stresses of SONOS Flash Memory Cell Transistors with 30 nm×30 nm Channel”, The 14th Korean Conference on Semiconductors, Seogwipo, Korea, pp. 1023-1024, Feb. 8-9, 2007