소개
DRL 연구실을
방문해 주신 여러분을 환영합니다.
DRL 연구실에 오신 것을 환영합니다.
본 연구실은 다양한 반도체 소자의 모델링 및 분석에 대한 연구를 하고 있습니다.
주 연구 분야로는 3-D NAND Flash Memory가 있습니다.
또한, Machine Learning을 사용하여 소자의 특성을 예측하고 있습니다.
연구실에 관심있는 분은 khutkd02@snu.ac.kr 로 연락 부탁드립니다.
최근 논문
Modeling of effective mobility in 3D NAND flash memory with polycrystalline silicon channel
Juhyun Kim, Hyungcheol Shin
2025
Journal of Computational Electronics
Investigation of Random Telegraph Noise Scaling Dependency in 3-D NAND Using Monte Carlo Simulator
Eunseok Oh, Hyungcheol Shin
2025
IEEE Transactions on Electron Devices
Investigation of Cell Variation Effect on Z-Interference in Charge-Trap-Based 3-D NAND Flash Memory
Sangmin Ahn, Hyungjun Jo, Sechun Park, Jongwoo Kim, Hyungcheol Shin
2025
IEEE Transactions on Electron Devices
공지사항
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