소개
DRL 연구실을
방문해 주신 여러분을 환영합니다.
DRL 연구실에 오신 것을 환영합니다.
본 연구실은 다양한 반도체 소자의 모델링 및 분석에 대한 연구를 하고 있습니다.
주 연구 분야로는 3-D NAND Flash Memory가 있습니다.
또한, Machine Learning을 사용하여 소자의 특성을 예측하고 있습니다.
연구실에 관심있는 분은 khutkd02@snu.ac.kr 로 연락 부탁드립니다.
최근 논문
A long short-term memory neural network-based approach for retention lifespan prediction in 3D NAND flash memory
Eunseok Oh and Hyungcheol Shin
2026
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
Impact of Elliptical Cell Geometry and Program Voltage on RTN-Induced Threshold Voltage Shift in 3-D NAND Flash
Eunseok Oh and Hyungcheol Shin
2025
IEEE Transactions on Electron Devices (TED)
Machine learning-based prediction of the impact of random grain boundary Z-interference on Vt distribution in 3-D NAND flash memory
Hwanheechan Choi, Hyungjun Jo, Sangmin Ahn, Insang Han, and Hyungcheol Shin
2025
Journal of Computational Electronics (JCE)
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