소개
DRL 연구실을
방문해 주신 여러분을 환영합니다.
DRL 연구실에 오신 것을 환영합니다.
본 연구실은 다양한 반도체 소자의 모델링 및 분석에 대한 연구를 하고 있습니다.
주 연구 분야로는 3-D NAND Flash Memory가 있습니다.
또한, Machine Learning을 사용하여 소자의 특성을 예측하고 있습니다.
연구실에 관심있는 분은 khutkd02@snu.ac.kr 로 연락 부탁드립니다.
최근 논문
A New Semi-Analytical Model for Erase Transients of 3-D Gate-All-Around (GAA) NAND Flash Memories
Jinil Yoo, Haechan Choi, Hyungcheol Shin
2024
IEEE Transactions on Electron Devices(TED)
Time Constant Analysis of Lateral Charge Loss in 3-D NAND Flash Memories Through Multiscale Simulations
Jinil Yoo, Hyungjun Jo, Hyungcheol Shin
2024
IEEE Transactions on Electron Devices(TED)
Program Start Bias Grouping to Compensate for the Geometric Property of a String in 3-D NAND Flash Memory
Sungju Kim, Sangmin Ahn, Sechun Park, Jongwoo Kim, Hyungcheol Shin
2024
IEEE Journal of the Electron Devices Society
공지사항
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2024-03-07
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