소개
DRL 연구실을
방문해 주신 여러분을 환영합니다.
DRL 연구실에 오신 것을 환영합니다.
본 연구실은 다양한 반도체 소자의 모델링 및 분석에 대한 연구를 하고 있습니다.
주 연구 분야로는 3-D NAND Flash Memory가 있습니다.
또한, Machine Learning을 사용하여 소자의 특성을 예측하고 있습니다.
연구실에 관심있는 분은 khutkd02@snu.ac.kr 로 연락 부탁드립니다.
최근 논문
Quantitative analysis on z-interference using reprogram scheme in 3D NAND flash memory Vth distribution
Jooyoung Lee, Jinil Yoo, Hyungcheol Shin
2025
Solid-State Electronics
Modeling Attempt-to-Escape Frequency: Tunneling Emission of Trapped Electrons in Tunneling Oxides of 3-D NAND Flash Memory
Myung Jin, Hyungcheol Shin
2025
IEEE Transactions on Electron Devices (TED)
A Compact Model for Program Operation of Gate-All-Around Barrier-Engineered Charge-Trapping NAND Flash Memory in the FN-Tunneling Regime
Haechan Choi, Hyungcheol Shin
2025
IEEE Journal of the Electron Devices Society (JEDS)
공지사항
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2024-11-21
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2024-03-07
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