소개
DRL 연구실을
방문해 주신 여러분을 환영합니다.
DRL 연구실에 오신 것을 환영합니다.
본 연구실은 다양한 반도체 소자의 모델링 및 분석에 대한 연구를 하고 있습니다.
주 연구 분야로는 3-D NAND Flash Memory가 있습니다.
또한, Machine Learning을 사용하여 소자의 특성을 예측하고 있습니다.
연구실에 관심있는 분은 khutkd02@snu.ac.kr 로 연락 부탁드립니다.
최근 논문
Strategies to Improve Efficiency of Select-Gate Voltage Floating During GIDL-Assisted Erase in 3-D NAND Flash Memory
Sungju Kim; Jaeyeop Jung; Hyungcheol Shin
2026
IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems (TCAD)
Modeling and Optimization of 3-D Bandgap-Engineered NAND Flash for Program Operation by Multilayer Tunneling With Trap Physics of Tunneling Nitride
Haechan Choi, Jinil Yoo and Hyungcheol Shin
2026
IEEE Transactions on Electron Devices (TED)
A long short-term memory neural network-based approach for retention lifespan prediction in 3D NAND flash memory
Eunseok Oh and Hyungcheol Shin
2026
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
공지사항
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