소개
DRL 연구실을
방문해 주신 여러분을 환영합니다.
DRL 연구실에 오신 것을 환영합니다.
본 연구실은 다양한 반도체 소자의 모델링 및 분석에 대한 연구를 하고 있습니다.
주 연구 분야로는 3-D NAND Flash Memory가 있습니다.
또한, Machine Learning을 사용하여 소자의 특성을 예측하고 있습니다.
연구실에 관심있는 분은 khutkd02@snu.ac.kr 로 연락 부탁드립니다.
최근 논문
Capture-cross-section conversion ratio for compact models enabling fast VT distribution simulation of 3-D NAND flash memory
Haechan Choi, Sangmin Ahn, Jinil Yoo, Sungju Kim, Myung Jin and Hyungcheol Shin
2026
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
Physics-Informed Neural Network for PGM Operation of 3-D CT-NANDs Under Data-Scarce Environments
Jinil Yoo, Haechan Choi and Hyungcheol Shin
2026
IEEE Transactions on Electron Devices (TED)
Time-Step-Free Physics-Based Modeling of Retention Loss in Cryogenic 3-D NAND Flash
Myung Jin, Haechan Choi, and Hyungcheol Shin
2026
IEEE Electron Device Letters (EDL)
공지사항
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