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[2015 대한전자공학회 하계학술대회] 시뮬레이션을 통한 MOSFET 산화막 내부트랩의 영향 비교분석

기간

2015

참가자

이현슬, 유성원, 서영수, 전상빈, 고형우, 전현옥, 고결, 신형철

대회명

대한전자공학회 추계학술대회

이현슬, 유성원, 서영수, 전상빈, 고형우, 전현옥, 고결, 신형철, “시뮬레이션을 통한 MOSFET 산화막 내부트랩의 영향 비교분석”, 대한전자공학회 하계학술대회, 2015.