[2016 대한전자공학회 추계학술대회] Intrinsic Gate Delay를 고려한 Nanowire-FET에서의 채널 간 간격 분석Nanowire FET에서 채널과 기판 사이 산화막 두께와 도핑에 따른 GIDL 분석

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기간

2016

참가자

김신근, 서영수, 강명곤, 신형철

대회명

대한전자공학회 추계학술대회

김신근, 서영수, 강명곤, 신형철 “Nanowire FET에서 채널과 기판 사이 산화막 두께와 도핑에 따른 GIDL 분석”, 대한전자공학회 추계학술대회, 2016.