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[2016 대한전자공학회 추계학술대회] Nanowire FET에서 채널과 기판 사이 산화막 두께와 도핑에 다른 GIDL 분석

기간

2016

참가자

김신근, 서영수, 강명곤, 신형철

대회명

대한전자공학회 추계학술대회

김신근, 서영수, 강명곤, 신형철 “Nanowire FET에서 채널과 기판 사이 산화막 두께와 도핑에 다른 GIDL 분석”, 대한전자공학회 추계학술대회, 2016.