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[2017 KCS] 3차원 시뮬레이션을 이용한 Gate-All-Around Nanowire FET의 PVE(Process Variation Effect)에 의한 GIDL 분석

기간

2017

참가자

Shinkeun Kim, Youngsoo Seo, Myounggon Kang, and Hyungcheol Shin

대회명

Korean Conference on Semiconductors

Shinkeun Kim, Youngsoo Seo, Myounggon Kang, and Hyungcheol Shin, “3차원 시뮬레이션을 이용한 Gate-All-Around Nanowire FET의 PVE(Process Variation Effect)에 의한 GIDL 분석”, Korea Conference on Semiconductor (KCS), 2017.