Home · [2017 KCS] 3차원 시뮬레이션을 이용한 Gate-All-Around Nanowire FET의 PVE(Process Variation Effect)에 의한 GIDL 분석
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[2017 KCS] 3차원 시뮬레이션을 이용한 Gate-All-Around Nanowire FET의 PVE(Process Variation Effect)에 의한 GIDL 분석
기간
2017
참가자
Shinkeun Kim, Youngsoo Seo, Myounggon Kang, and Hyungcheol Shin
대회명
Korean Conference on Semiconductors
Shinkeun Kim, Youngsoo Seo, Myounggon Kang, and Hyungcheol Shin, “3차원 시뮬레이션을 이용한 Gate-All-Around Nanowire FET의 PVE(Process Variation Effect)에 의한 GIDL 분석”, Korea Conference on Semiconductor (KCS), 2017.