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[2017 KCS] Intrinsic Gate Delay를 고려한 Nanowire-FET에서의 최적의 Underlap 길이

기간

2017

참가자

김민수, 김종수, 고형우, 강명곤, 신형철

대회명

Korean Conference on Semiconductors

김민수, 김종수, 고형우, 강명곤, 신형철, “Intrinsic Gate Delay를 고려한 Nanowire-FET에서의 최적의 Underlap 길이”, Korean Conference on Semiconductors(KCS), 2017.