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62nm CMOS 기술을 적용한 20 GHz 이하의 1단 저잡음 증폭기 설계
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62nm CMOS 기술을 적용한 20 GHz 이하의 1단 저잡음 증폭기 설계
62nm CMOS 기술을 적용한 20 GHz 이하의 1단 저잡음 증폭기 설계
저자
Shen Yehao, Jaehong Lee, Hyungcheol Shin
저널 정보
전자공학회논문지(SD)
출간연도
2009
링크
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Extraction of Interface-States Energy Distribution in Nitrided and Pure Gate Dielectrics for Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor Applications
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