소개
DRL 연구실을
방문해 주신 여러분을 환영합니다.
DRL 연구실에 오신 것을 환영합니다.
본 연구실은 다양한 반도체 소자의 모델링 및 분석에 대한 연구를 하고 있습니다.
주 연구 분야로는 3-D NAND Flash Memory, Logic Device가 있습니다.
또한, Machine Learning을 사용하여 소자의 특성을 예측하고 있습니다.
연구실에 관심있는 분은 robotjo@snu.ac.kr 로 연락 부탁드립니다.
최근 논문
A New Physical Model for Program Transients of Cylindrical Charge-Trap-Based NAND Flash Memories
Haechan Choi, Jinil Yoo, Hyungcheol Shin
2024
IEEE Transactions on Electron Devices(TED)
Investigation of Endurance Characteristics in 3-D nand Flash Memory With Trap Profile Analysis
Hyungjun Jo, Jongwoo Kim, Yonggyu Cho, Hyunyoung Shim, Jaesung Sim, Hyungcheol Shin
2024
IEEE Transactions on Electron Devices(TED)
Temperature Dependence Modeling of Grain Boundary Barrier Height in Macaroni MOSFETs
Juhyun Kim and Hyungcheol Shin
2023
IEEE Transactions on Electron Devices(TED)
공지사항
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2024-03-07
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